Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов

Систематизация растворных способов выкармливания кристаллов 33 обычно ведется:

1) по нраву смешивания раствора (динамический и ста­тический)


Рис.11.1.2.4. Температурные зависимости вязкости смесей состава: (п - относительные показания шкалы прибора); 1 - Ba2О3; 2 78% ВаО х 22% Ba2О3

Рациональные условия роста кристалла предполагают сохранение и течение всего процесса равномерного диффузионного слоя в зоне кристаллизации. С этой целью Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов используются разные методы смешивания раствора за счет вращения кристалла затравки, тигля, покачивания кристаллизатора, внедрения реверсных режимов вращения либо покачивания. Применение насыщенного смешивания до определенного предела скорость роста кристаллов (при одном и том же пресыщении), резко понижает концентрацию больших изъянов, связанных с захватом растворителя возрастающими гранями, гомогенизирует весь Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов объем системы позволяя производить рост во всех ее частях в схожих критериях. В тоже время нельзя не отметить недочетов динамического режима, связанного с воплощением технологических операций в критериях больших температур и ядовитых реагентов.


Рис. 11.1.2.5. Температурные зависимости вязкости растворителей состава: (+) - ВаB2О4; (o) - 0,62 BaO x 0,38 Ba2О3; (х) - 0,5 BaO x 0,09 BaF2; (▀) - 0,41 BaO x Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов 0,41 Ba2О3 х 0,18 BaF2; (•) – 0,35BaO x 0,41 Ba2О3 x 0,24 BaF2

2) Зависимо от применяемой технологии и используемой методике может отсутствовать либо дополнительное введение кристаллизуемого вещества в систему;

3) По изменению температуры в процессе процесса выкармливания: изотермический температурный профиль системы в процессе роста не изменяется и политермический –температура меняется по данной Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов программке.

При выращивании лазерных кристаллов методика с неизменным испарением растворителя обычно не применяется, в то время как способ переноса дает отличные результаты. В данном случае внедрение конвекционного переноса вещества при наличии 2-ух зон с неизменной разностью температур меж ними обеспечивает равномерную по времени и регулируемую по величине подпитку зоны кристаллизации Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов материалом выращиваемого кристалла.


Рис. 11.1.2.6. Температурные зависимости вязкости смесей состава: о - 30% Y3Al5O12 в 0,5 BaO x 0,41 Ba2О3 х 0,09 BaF2; + - 30% Y3Al5O12 в 0,41 BaO х 0,41 Ba2О3 х 0.18 BaF2

В ниж­нюю часть платинового тигля помещают поликристаллический лом начального вещества (рис. 11.1.2.3). Тигель находится в двузонной пе­чи с Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов таким рассредотачиванием температур, которое обеспечивает эффек­тивное перемещение насыщенного раствора из нижней части в верх­нюю, где он становится вследствие более низкой температуры пере­сыщенным и излишек растворенного вещества осаждается на затра­вочный кристалл.

При политермическом способе выкармливания осуществляется плав­ное понижение температуры раствора. Процесс осуществляется в контейнере Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов, в каком заблаговременно составленная смесь за ранее рас­плавляется и гомогенизируется.


Рис. 11.1.2.7. Изотермы вязко­сти для раствора состава:Na3AlF6 / Ba2О3

Остывание ведется или до темпе­ратуры затвердевания раствора с следующим растворением раство­рителя, или до температур несколько выше температур плавления растворителя с следующим сливом растворителя.

Для проведения Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов процесса выкармливания программная кривая пони­жения температуры должна быть дополнительно скорректирована по последующим суждениям:

а) при росте кристалла потребность в кристаллизуемом веществе вследствие увеличивающейся поверхности вырастает, программка тем­пература - время должна это учесть и ускорять остывание;

б) во время процесса выкармливания может поменяться состав расплава вследствие преимущественного испарения Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов 1-го компонен­та. При сильном испарении растворителя понижение температуры следует замедлять;

в) возрастание вязкости при понижении температуры уменьшает диффузию растворенного вещества к растущему кристаллу. Это можно скомпенсировать более неспешным понижением температуры либо повышением степени смешивания растворителя.


Рис. 11.1.2.8. Температурные зависимости, растворимости лимонка состава: Y3Al5O12

1 - растворитель состава ВаО Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов - Ba2О3; 2 - растворитель со­става РbО - Ba2О3 –РbF2

Нужно, чтоб программка понижения температуры обеспечи­вала скорость роста монокристалла, не превосходящую наибольшее размеренное значение с достаточным "припасом" на процессы флуктуа­ции и конвекции. С повышением размеров выращиваемого кристалла наибольшая величина размеренной скорости роста миниатюризируется. Материалы наивысшего свойства обычно образуются на Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов последних стадиях процесса остывания, когда огромные поверхности возрастающих граней содействуют уменьшению пересыщения. Неоднородный цикл остывания, с очень неспешным остыванием сначала процесса, направленным на уменьшение пересыщения, в период, когда площадь поверхности роста еще очень мала, должен повысить совершенство кристаллов. Малые скорости остывания сначала процесса будут также уменьшать число эмбрионов, тем наращивать Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов средний размер возрастающих кристаллов. Для уменьшения числа возникающих эмбрионов возможно окажется полезным температурное реверсирование с чередованием роста и растворения, потому что в период нагре­вания маленькие эмбрионы на сто процентов растворяются и появляется больше больших кристаллов.


Рис. 11.1.2.9.. Температурные зависимости растворимости окислов Y2O3; Al2O2; Cr2O3; Nd Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов2O3 и грaнaтa состава Y3 Al5O12 в растворителе состава РbО x 0,35 В2О3 x 1,2 Pb F2

Огромное значение для получения совер­шенных и огромных кристаллов имеет контроль температуры при про­ведении всего процесса выкармливания лазерных кристаллов. Настоя­щий уровень технических способностей обеспечивает контроль с точ­ностью ±0,1°.,Но такая точность становится Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов, нерезультативной из-за наличия колебаний температуры (до 0,5°), вызванных конвекционными потоками в статистическом режиме выкармливания. Эти колебания температуры могут быть уменьшены внедрением динамического метода выкармливания, или принятием спе­циальных мер, к примеру, введением соответственных перегородок.

4) Способы выкармливания из смесей в расплаве можно также систематизировать по наличию либо отсутствию спецефическим образом Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов приготовленных и заблаговременно сориентированных лазерных кристаллов. Таким методом можно сделать условно, препятствующее спонтанному образованию эмбрионов и работы в области более благоприят­ных для роста совершенных кристаллов величин пересыщения (рис.11.1.2.1). Обычно при выращивании лазерных кристаллов для спонтанного обра­зования единичного затравочного кристалла время от времени рекомендуется направленный локализованный обдув Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов дна тигля потоком прохладного воздуха (рис. 11.1.2.5).Независимо от способа, выкармливания процесс роста включает 8 стадий подготовки и смешивания начального состава, расплавления и гомогенизации этого состава в тигле, процессы роста и извлечения выросших кристаллов.


Рис. 11.1.2.10. Температурные зависимости растворимости лимонка состава Y3 Al5O12 в растворителе состава: а) 91,4% вес ВаО Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов - 0,6 В2О3 + 8,6% вес Y3 Al5O12; б) (▀) -0,62 ВаО -0,38 В2О3; (•) - 0,5 ВаО - 0,41 В2О3 - 0,09 BaF2; (+) -0,41 ВаО - 0,41 В2О3-0,18 ВаF2


Рис. 11.1.2.11. Температурная зависимость поверхностного натяжения смесей состава:(X)- 0,62 ВаО - 0,38 В2О3; (•) – 0,41 ВаО,- 0,41 В2О3 - 0,18 BaF2; (▀) - 0,25 ВаО - 0,41 В2О3- 0,34 BaF2;(▼)- 30°/о Y3Al5O12 в 0,41 ВаО - 0,41 В2О3 - 0,18 BaF2

В процессах в большинстве случаев употребляются Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов платино­вые тигли. В особенности принципиально избегать восстановительных критерий в присутствии таких ионов, как В3+ и Рb2+, которые приводят к разрушению платинового тигля. Условия выкармливания лазерных кристаллов сведены в табл. 11.1.2.2. Для выкармливания кристаллов ортофосфатов редкоземельных эле­ментов в качестве растворителя можно использовать Pb2P2O7.


Рис. 11.1.2.12. Области Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов размеренного существования Al2O3, Y3Al5O12 и YalO3 в растворителе состава РbО X Ba2О3

В связи с тем, что полное исследование всей диаграммы системы Ln2О3 – Р2О5 – Рb2Р2О7 представляет значимые трудности для получения кристаллов LnPO4, определялась только температурную зависимость растворимости LnPO4 в расплаве пирофосфата свинца Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов Рb2Р2О7.При выращивании кристаллов LnPO4 берется смесь, состоящая из редкоземельных оксидов Ln2О3 и пирофосфата свинца Рb2Р2О7 в пропорции 4 и 96% вес соответственно. Кристаллы LnPO4 извлекаются из массы застывшего расплава при помощи вытравливания жаркой разбавленной НNO3. По данной технологии были получены монокристаллы ортофосфатов иттрия Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов, лан­тана, скандия, также кристаллы СlРО4 и LnPO4. Варьи­рованием скорости остывания можно получить кристаллы разных размеров. Зависимо от скорости остывания расплава наблюда­лись конфигурации размеров и габитуса получаемых кристаллов.


Рис. 11.1.2.13. Установка для выкармливания монокристаллов на затравку: 1 - вал мешалки; 2 - огнеупорный кирпич; 3 - держатель (Pt), 4- затравка; 5 - мешалка ( Pt ); 6 - тигель (Pt ); 7 - нагреватель; 8 - аллундовая трубка Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов с канавкой на поверхности; 9 - алундовый цемент; 10 - изоляция; 11 - шихта; 12 - перегородка; 13-зонa роста; 14 - расплав растворителя; 15 - железный кожух

Так, к примеру, при скорости остывания 5-6 град/ч обычно наблюдалось огромное число маленьких кристаллов ортофосфатов иттрия, а при уменьшении скорости остывания до 0,7-1,0 град/ч выходило 3-4 кристалла, но их размеры значительно росли. Из литературы известен способ выкармливания Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов CaVO4 способом передвигающегося растворителя (табл. 11.1.2.2). Этот способ основан на при-нении перемешивающейся зоны расплавленного растворителя когда раствор находится меж 2-мя блоками выращиваемого вещества.


Рис. 11.1.2.14. Схема кристал­лизационной установки для выкармливания кристаллов из раствора в расплаве на затравку:1 - возрастающий кристалл;2 - тигель; 3 - раствор; 4 - нагреватель; 5 - термо­пара

Градиент температуры обеспечивает разницу концентраций Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов в растворе, при этом на жаркой границе зоны происходит растворение, на прохладной - кристаллизация. Чтоб достигнуть надежного роста кристалла, в качестве подложки употребляют совершенную поверхность протравленного монокристалла. Нередко раствор наносится напылением узкого слоя. В опытах или перемещается зона раствора при неизменном температурном градиенте в направлении высочайшей температуры, или двигается нагреватель, или Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов соответственно ампула, при этом зона раствора следует этому движению.

Может быть также выкармливание монокристаллов, имеющих перетектику с внедрением аппаратуры ОЗП. В данном случае упрессованная палочка начального материала делается переменного состава, резко сдвинутого по отношению к перетектической точке, сбалансированной с составом выращиваемого соединения, что обеспечивает постоянную температуру в зоне кристаллизации Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов. Описан синтез ванадата кальция СаVО4, методом кристаллизации в гелях. Гель действует как химически инертная высоковязкая среда, замедляющая конвекционные и диффузионные процессы и уменьшающая величину вероятности образовании эмбрионов. Средой для роста кристалла состава СаVО4 является гель силиката натрия. Он появляется при содействии раствора силиката натрия (плотность 1,035-1,06) с соляной либо уксусной Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов кислотами. Излишек кислоты определяет значение РН геля. Выкармливание ведут при комнатной температуре либо несколько выше. Скорость роста определяется плотностью геля, концентрацией реагирующих веществ в геле, температурой геля и конструкцией кристаллизационной аппаратуры


Рис. 11.1.2.15. Схема кристаллизационной установки для выкармливания кристаллов из раствора в расплаве при наружном инициировании образования эмбриона средством потока Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов прохладного газа (аргона): 1 - возрастающий кристалл; 2 - тигель с крышкой; 3 - раствор; 4 - нагреватель; 5 - термопара; 6 - поток голодного газа


Таблица 11.1.2.2

Сводная таблица критерий выкармливания диэлектрических лазерных кристаллов из высокотемпературных смесей

Кристалл (исх. составляющие) Растворитель (исх. Составляющие) Метод Спектр температуры, оС Параметр скорости роста Размер/вес кристалла (мм.г) Дополнения
Al2O3 Na3AlF6 MO 1040-960 1,5o/час 12x Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов12x5, преобладающее направление роста [0001]
Al2O3 Na3AlF6 Г/З 1120-1000 50-200 час 20х20х5
Al2O3 РbO/B2О3, РbF2/ Ba2О3 MO 1200-800 15x10x0,2 листовидные по [0001]
Al2O3 РbF2 - - - 30 (пластинка)
Al2O3 РbF2 MO 1-2o/час
Al2O3 РbF2 MO/И 1400-100 30-50мм Высшая часть тигля более Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов прохладная чем нижняя
Al2O3 Bi2O3/РbF2/La2О3 MO 1250-1000 2-8o/час
Al2O3 РbF2/B2О3/La2О3 MO 1250-1000 2-8o/час
Al2O3 РbF2/Bi2О3 MO 1250-1000 2-10o/час 6x6x4
Al2O3 Bi2O3/ V2О5 MO 1300-900 5o/час 5x5x5
Al2O3 РbF2/B2О3 И Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов 20-120 час Листовидные 4х5х0,2 ,тонкие стержни длиной до 7 при добавке B2О5, дисковидные кристаллы на поверхн. р-ра, Ø57, шириной 2
Al2O3 Фториды MO 1200-700 - 6x6x1
Al2O3 Na2O3/TiO2 И 4 час 4x4x1
Al2O3 Pb5O2F6 MO 1260-1000 3o/час 10x10x5
Al2O3 РbO/B2О3 MO Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов 1300-915 2o/час 30 (пластинка) 5x5x5
Al2O3 РbO/РbF2 MO 1250-950 0,25-5o/час 1,3мм/день
Al2O3 BaF2 /AlF3 MO 1550-1300 0,25-5o/час 1,3мм/день
Al2O3 РbO/B2О3 Г(З) ∆Т=50о 0,75мм/день
Al2O3(Cr) РbO/B2О3 MO 1300-600 4o/час 7x7x4 на поверхности гексогональные пластинки Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов
Al2O3 Na2O3/WO3 Г(З) ∆Т=50о 6-8
Al2O3 Sr/ WO3 MO 1500-1100 16o/час 1,5-2
Al2O3(Cr) РbF2 MO 1400-900 30 (пластинка) (001) (012) и (104) выше 1250оС отсутствует
Al2O3(Cr) РbF2 Г/MO 0,5 40х40х12
BaF2 LiF ВЗ/MO 880-860
Ba2MgGe2O7 BaO/Ge2O ВЗ/MO 72г Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов
CaAl12O19 (Pb) Рb2OF2 MO 1260-1000 3х3х3
CaF2 NaCl/NaF MO 890-760
CaMo1-xWxO4 NaCl MO 1200-500 15-18 1-4
CaMoO4 LiCl, CaCl2 MO 0,7
CaMoO4 Li2SO4 ДР 835-960 0,2мм/день
CaMoO4 (Nb205=7.2 дескать% CaF2 CaF2=41,8дескать% MgF2=51дескать% MO 1315-915 выдержка при Т=1315-84 3-5 5x5x3 Есть включения
Ca5(PO4)3F CaF2 MO 1375-1220 2-4 Прозрачные призмы Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов
CaWO4 LiCl MO 700-550 0,2-0,3мм/час 10-12
CaWO4 Флюориты MO 1200-700 4х3х0,5
CaWO4 (CaWO4) Г/З ~900 5х10-4/час Данное подложкой направление роста [001], ширина зоны плавления~3мм
CaWO4 (CaO) Na2W2O7 Na2SO4 MO 1100÷ 1250-700 2,5 10х5х5 Иглы, также полн.формы
CaWO4 Na2O/ WO3 MO
CaY2Mg2Ge3O12 CaO/Ge2O/B Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов2O3 ВЗ/MO 0,4 115г
CeF3 CrF2, BaF2 MO 1000-900
εrAl5O12 (Tm) MO 1300-950
εrSiO5 (Tm) Li2MoO7
GdAlO3 РbO/РbF2/B2О3 MO/У 1300-950 0,3 20x10x10
GdAlO3 Gd2O3=9,02 Al2O3=2,42 РbO/РbF2 (РbO=57,6г РbF2=38,4г) И 17суток 4х4х3 Прозрачные кристаллы желтого цвета
GdAlO3 81,5г Gd2O Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов3 22,7г Al2O3 Si2O3/ B2О3 642,5г Bi2О3+21,4 B2О3 MO 1340-840 0,7-1,7 5x4x4 Кристаллы темнокоричневого цвета
GdAlO3 РbO/РbF2 MO 1260-1000 6x6x3
Nd AlO3 NdO3=20,2г AlO3=6г РbO/РbF2 РbO=100г РbF2=100г MO 1280-910 0,7 6-7мм3 Прозрачные кристаллы пурпурового цвета
PrAlO3 PrO3=10г AlO3=3г Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов РbO/РbF2 РbO=50г РbF2=50г MO 1285-960 3,5 2-3мм3 Прозрачные кристаллы, огромные кристаллы с включениями
Sm AlO3 Sm2O3=35г Al2O3=16,4г РbO/РbF2 РbO=71г РbF2=103г МО 1290-960 2,25 2-3мм3 Прозрачные кристаллы желтого цвета
TbAl2O3 Tb2O3=10г Al2O3=2,4г РbO/РbF2 РbO=58г РbF2=38,4г И 21день 2-3мм Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов3 Прозрачные кристаллы
DyAl2O3 Dy2O3=5,6г Al2O3=1,7г РbO РbO=80,2г И 10 суток 2-3мм3 Прозрачные кристаллы желтого цвета
YalO3 РbO/РbF2 РbO=70г РbF2=14г И 10 суток 2мм3 Прозрачные тусклые кристаллы
GdAlO3 РbO/РbF2/B2О3 MO/У 1300-900 0,3-0,6 35x30x25 Линейная скорость роста 20нм/с
Gd3Al5O Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов12 РbO/B2О3 MO 1300-1000 7,5
Gd3Ga5O12 РbF2/РbO MO 1240-900 1,2г
Gd2(Mo4)3 MoO3 ВЗ/MO 0,1 12г
LaAlO3 РbO/РbF2 И 6 суток
LaAlO3 РbO/РbF2/B2О3/V2О5 MO 1300-980 0,5 11х9х6
LaAlO3 РbO/РbF2 MO 1200-800 1,5-2
LaNbO4 РbF2 MO 1200-900
La2O3 NaCl MO 50-80 мелкие
Al2O3(Cr) Bi Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов2О3+BiF3+ La2O3 Bi2О3+PbF+La2O3 MO 1250-1000 при 1250(1-4)часа 2-4 Ромбоэдрический с малым кол-м включений
Al2O3(Cr) РbO/B2О3/РbF2 либо РbF2 MO З 10-12мм
MgO KOH MO 600-200 5-40
MgO РbF2 МО
MgO Na2O/ WO3/ P2O5 Г 1300-1200 6суток 5х2х2
MgO РbF2 МО 0,3мм Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов/день 1см3
Na5Nd(WO4)4 Na2WO4 МО 1100-700 0,1
LnAlO3 (Ln=Dy-Lu) NaOH НО 4 час Мелкие При наличии давления
LnAlO3 Рb2OF2 МО 1260-1000 6х6х3
LnAlO3 РbO МО 1300-850
LnAlO3 РbO/РbF2/B2О3 МО 1290-800 3-6
LnAlO3 Bi2О3/ B2О3 МО 1315-815 3-6
Ln3Al5O12 РbO/РbF2 МО Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов 1250-1000 4,2 2-10
Ln3Al5O12(Cr) РbO/РbF2/B2О3 МО 1300-950 0,25-2
Ln3Al5O12 РbF2 /РbO И 100г 8х8х8
LnF3 BeF2 МО Мелкие
LnGa5O12 РbO/РbF2 МО 1250-1000 4,2 2-10
LnLiF4 LiF МО 800-900 0,5-2 20х20х100
LnSeO3 PbO 1300-850
LnVO4 V2O5 МО
LnVO4 Pb2V2O7 МО 1300-950 2-4 6х0,5х0,1
SrAl12O19 (Pb) Рb Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов2OF2 МО 1260-1000 3х3х3
SrMoO4 LiCl,SrCL2 МО 0,7
SrWO4 SrCl2 МО 1000,1200 Мелкие
SrWO LiCl МО 700-800 Мелкие
SrWO4 Na2W2O7 И 1100-1250-700 2,5 10х5х5
YalO3 РbO/РbF2 МО 10суток
Yal5O12 V2O3=720г Al2O3=1220г Nd2O3=253г РbO/РbF2/B2О3 PbO=3556г PbF2=4346г B2О3=279г Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов 1300-950 0,5 150г
Y3Al5O12 BaOx0,6 B2О3 MO 1125-835 1х1х1
Y3Al5O12 BaO/B2О3 ВЗ/MO 0,5
Y3Al5O12 РbO/РbF2 MO 1150-800 4,3 1,5г
Y3Al5O12 РbF2/РbO MO/И 4,3
Y3Al5O12 РbOF2 MO 1260-1000 2,5г
Y3Al5O12(Nd) РbO/РbF2/B2О3 PbO Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов=44%вес PbF2=53% вес B2О3=3% вес MO 1300-950
Y3Al5O12 РbO/РbF2/B2О3 MO 1250-950 10х7х7
Y3Al5O12 РbO/B2О3 MO
Y3Al5O12 РbO/B2О3 MO 1300-850 3-5 Огромные
Y3Al5O12 РbF2/B2О3 MO Более 1 7х6х6
Y3Al5O12 (Nd+Cr) РbO/РbF Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов2/B2О3 MO 1300-1000
Y1-xεuVO4 NaYO3 MO
Y2O3 РbF2 MO 1200-900
Y2SiO5 Li2Mo2O7 MO
Y2SiO5 KF MO 1300-850 1-2,5 4x3x2
YVO4 V2O5 MO 1200-900
YVO4 V2O5 ВЗ/MO 1050-900 50мкм/ч 15x6
YVO4 NaVO3/Na2B4O7 MO 4 суток 15x3x3
CaMoO4 LiCl/KCl MO <10
CaWO4 LiCl Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов/KCl MO <10
εrSiO5 РbF2/РbO MO 950-650 2-50
CuWO4 NaCl, KCl MO
LaP5O14 H4P2O7 И 10x3
NdP5O14 H3PO4,H4P2O7 И 7 суток 3х3х1
NdP5O14 H4P2O7 И 5х1
Ln3Al5O12 РbF2/РbO MO 1280-1150
SrMoO4 LiCl/KCl MO <10
SrWO4 LiCl Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов/NaCl И 950-730 40-100г 4х3х3
SrWO4 LiCl/KCl MO <10
SrWO4 NaCl,KCl MO 950-650 2-50
LaAlO3 La2O3+Al2O3 РbF2+РbO И 100ч 3х3х0,4
LiNbO3 Li2CO3=5%дескать Nb2O5=5%дескать LiCl=90%дескать MO 13012000-1250-800 5-7 1см2 Немного розовые до карих
Ho3Al5O12 РbO/РbF2 MO 1350-950
εrAl5O12 РbO/РbF2 MO Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов 1350-950
PbMoO4(Cr) PbCl2+Na2MoO4+K2CrO4 NaCl Игловидно-пирамидал.,длинноватой 2мм, содержание Cr-1,45%
Y3GaO12 Y2O3 +Ga2O3 РbF2+РbO МО/Г 1250 (18ч)-900 (комнатная) Из кристалл. изгот.лазерные стержни размером дл 5,5x2x2,5мм;.содержание Pb=0,01-0,1%
Al2O3 РbF2 При резвом охл-ии тонкие пластинки, при Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов уменьш. Скорости - изометрическ. кристаллы


За базу сводной таблицы была применена таблица, переработанная с учетом дополнительных сведений, взятых из первоисточников.

В первой колонке таблицы приводятся хим формулы син­тезированных кристаллов и начальных компонент. Во 2-ой колонке указаны составы высокотемпературных растворителей. В третьей ко­лонке представлены использованные способы выкармливания либо особен­ности Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов способов.

Принять, последующие обозначения: И - испарение, МО неспешное (программное) остывание; ДР - способ передвигающегося растворителя;

Но - непрограммное остывание, З - выкармливание на затравку; Г -градиентный способ; ВЗ - выкармливание на затравку, находящуюся в высшей части тигля; У — ускоренное вращение тигля. В четвертой и пятой колонках приведены значения температуры выкармливания (оС Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов) либо спектр температур и величины скоростей роста. В неких случаях, при выращивании в неизменных услови­ях, скорость роста дана в мм/день. Шестая колонка содержит сведения о размерах либо весе выращенных кристаллов. В последней колонке приводятся дополнительные данные.


metodicheskaya-posledovatelnost-v-obuchenii.html
metodicheskaya-rabota-godovoj-otchyot-o-pedagogicheskoj-deyatelnosti-gosudarstvennogo-obrazovatelnogo-uchrezhdeniya-goroda.html
metodicheskaya-rabota-publichnij-otchet-direktora-municipalnogo-obsheobrazovatelnogo-uchrezhdeniya-varvarovskaya-srednyaya.html